目的:应用染色体G显带技术观察4MV的X线辐射后的染色体畸变情况,分析不同类型的染色体畸变和辐射剂量的关系.方法:以4MV的X线0.5、1、2、4 Gy对离体人外周血进行辐照,其淋巴细胞培养后,采用染色体G显带分析不同类型的染色体畸变率.结果:染色体双着丝粒、缺失、易位以及片段畸变和辐射剂量呈线性正相关,其线性趋势线和R<'2>值依次分别为:Y=24.1X-13.3(R<'2>=0.975);Y=10.5X-2.7(R<'2>=0.887);Y=30.2X-17.8(R<'2>=0.913);Y=53.3X-38.7(R<'2>=0.976).结论:染色体G显带技术可以较非显带技术提供更多更准确的畸变信息,为进一步研究提供借鉴.
作者：施常备；陈晓泉；姚俊涛；袁勇；赵征；袁彬；赵明刚；陈葳；王翔
来源：癌变·畸变·突变 2011 年 23卷 2期
