目的:研究低能量半导体激光生物刺激对雪旺细胞生物学行为的影响,筛选出雪旺细胞最适宜的激光治疗参数.方法:选用大鼠雪旺细胞(RSC96细胞系),给予低能量半导体激光生物刺激,建立低能量半导体激光雪旺细胞生物刺激模型.A组:空白对照组,即无激光照射;B组:250mW激光照射;C组:500mW激光照射;D组:1000mW照射.Annexin V/PI染色流式细胞仪测定半导体激光刺激对雪旺细胞调亡及细胞周期的影响.应用Western blot和ELISA检测低能量半导体激光刺激对雪旺细胞合成及分泌NGF及BDNF的影响.结果:低能量半导体激光在250mW参数照射下雪旺细胞的凋亡比例为0.13％±0.01％,细胞周期S期比例为7.52％±1.23％;NGF及BDNF蛋白表达量最高,较空白对照组分别增加1.20倍和1.18倍.250mW激光参数照射下雪旺细胞分泌NGF和BDNF的量分别为49ng/L和312 ng/L均高于对照组(A:31ng/L,B:49ng/L,C:35ng/L,D:25ng/L).结论:在250mW低能量半导体激光生物刺激促进雪旺细胞增殖和抑制雪旺细胞调亡、细胞粘附及合成神经营养因子的能力.
作者：李伯翰；邹士琦；王霄
来源：口腔颌面修复学杂志 2019 年 20卷 2期
