目的:观察钛试样在微弧氧化处理过程中,不同的占空比和脉冲频率对钛瓷结合强度的影响.方法:电解液由去离子水和Na2SiO3溶液组成,电压为300 V,时间3 min,占空比和频率分别为Ⅰ组0.2,500 Hz;Ⅱ组0.2,1 000 Hz; Ⅲ组0.04,1 000 Hz; Ⅳ组0.04, 500 Hz;Ⅴ组0.12,750 Hz.对钛试样表面进行处理后,用扫描电镜(SEM)观察表面形貌,并对不同组别试件进行瓷粉烧结,用三点弯曲试验测出钛与瓷的结合强度.结果:频率在1 000 Hz时比500 Hz的膜层表面的微孔直径小,膜层厚度增加;结合强度Ⅳ组明显高于Ⅲ组(P<0.01),Ⅰ组高于Ⅱ组(P<0.05);占空比由0.04增加至0.2时,氧化膜表面分布的微孔直径无明显变化,结合强度Ⅲ组明显高于Ⅱ组(P<0.01),Ⅳ组高于Ⅰ组(P<0.01).微弧氧化组膜层与基底间无明显界线,结合强度明显高于未行微弧氧化组(P<0.01).结论:钛在烤瓷前经微弧氧化处理有利于钛与瓷的结合,且微弧氧化过程中不同处理参数对钛瓷结合强度有影响.
作者:李健学;张玉梅;憨勇
来源:实用口腔医学杂志 2007 年 23卷 1期