背景:选择脑电图参考电极方式是分析事件相关电位的关键步骤,但是参考电极事件相关电位成分影响的相关研究较少.目的:从统计学和头皮电位拓扑学角度比较分析了平均参考、左耳乳突参考和零参考对面孔识别事件相关电位成分的影响.方法:使用的脑电图数据来自国际公开数据库Open fMRI中的多模态人类神经影像数据集.招募了19名正常或矫正视力正常的健康者进行视觉刺激试验,试验的视觉刺激因子分别为陌生人脸和扰乱人脸.使用brainstorm软件对3种参考(平均参考、左耳参考、零参考)方式下,在枕颞叶区域采集到的事件相关电位,进行N170潜伏期和幅值分析,并进行头皮电位拓扑图和源定位计算,对3种参考下的实验结果进行对比分析.结果 与结论:①与扰乱人脸相比,陌生人脸诱发的事件相关电位N170有更短的潜伏期和更大N170幅值的特点,N170潜伏期没有显著性差异,N170幅值有显著性差异;②拓扑结果表明,在相同的刺激因子下大脑右侧颞叶比左侧枕叶活动更为强烈,且只有REST参考能够最好地揭示大脑右侧颞叶和前额叶区域在陌生人脸和扰乱人脸刺激时存在显著性差异;③结果说明,REST参考方式下得到的脑电图数据更加真实准确,这为进一步研究面孔识别神经机制提供了帮助,为面孔识别相关实验参考电极的选择提供依据.
作者：王毅；黄华；赖虹宇；张军鹏
来源：中国组织工程研究 2019 年 23卷 18期
