目的:评价半导体激光对感染根管内粪肠球菌的杀菌效果. 方法:成功建立粪肠球菌感染人单根管恒牙模型50个,用ProTaper F3锉预备根管后随机分为5组(n=10),A组: 空白对照,不照射激光;另4组分别用不同功率、时间半导体激光照射根管内壁, B组:1. 0 W,10 s;C组:1. 0 W,20 s;D组:2. 0 W, 10 s;E组:2. 0 W,20 s. 各组标本均于处理前、后在根管内壁表面取样并进行细菌培养计数;然后再分别用F4、F5锉依次预备并收集两种深度的牙本质碎屑,经厌氧培养后采用麦氏比浊法进行菌落计数. 结果:①各组处理后的根管内壁细菌量均较处理前下降(P<0. 05),各激光组细菌清除率均高于对照组(P<0. 05),而各激光组之间两两相比差异无统计学意义(P>0. 05); ②各激光组均能使两种深度牙本质中的细菌量明显减少(P<0. 05);其中照射10 s时, 2. 0 W比1. 0 W的杀菌效果好(P<0. 05),而照射20 s时,不同功率的杀菌效果无显著差异(P>0. 05);用1. 0 W时,照射20 s比10 s的杀菌效果好(P<0. 05),而用2. 0 W时,照射10、20 s的杀菌效果无差异(P>0. 05). 结论:半导体激光对根管内壁及深层牙本质的粪肠球菌均有杀菌作用,其对牙本质深层的杀菌效果随着照射时间延长、功率增大而增强.
作者：李亚男；车晓倩；王宏伟；李茹；孙慧斌
来源：牙体牙髓牙周病学杂志 2015 年 25卷 8期
