目的:观察“百会”“水沟”穴不同时程电针预处理对脑缺血再灌注大鼠血脑屏障血管内皮生长因子(VEGF)和基质金属蛋白酶-9(MMP-9)表达的影响,探讨电针预处理诱导脑缺血耐受的可能机制.方法:雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组、电针预处理7d组、电针预处理15d组.Zea Longa改良线栓法复制大鼠大脑中动脉栓塞模型.电针预处理7d组和15d组取“百会”“水沟”进行电针预处理,分别于预处理7d和15 d后进行造模.采用免疫组化法、荧光定量PCR法检测血脑屏障MMP-9阳性细胞、MMP-9 mRNA、VEGF mRNA的表达.结果:模型组MMP-9阳性细胞、MMP-9 mRNA、VEGF mRNA表达较假手术组明显增多(P＜0.001);电针预处理各组MMP-9阳性细胞、MMP-9 mRNA、VEGF mRNA表达较模型组明显减少(P＜0.01),且电针预处理15d组比电针预处理7d组减少更为明显(P＜0.01,P＜0.05).结论:“百会”“水沟”穴不同时程电针预处理可抑制脑缺血再灌注大鼠血脑屏障MMP-9阳性细胞及MMP-9 mRNA、VEGF mRNA的表达;其效应均以电针预处理15d为佳.电针预处理诱导脑缺血耐受可能是通过调节脑缺血再灌注后血脑屏障MMP-9、VEGF表达实现的.
作者：林咸明；陈丽萍；姚旭
来源：针刺研究 2015 年 40卷 1期
