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目的 研究硫氰根的电化学行为并对其进行痕量测定.方法 将玻璃碳电极进行电化学预处理,研究硫氰根在该电极上的电化学行为并进行痕量测定.结果 硫氰根在预处理玻碳电极上的氧化反应为不可逆的吸附过程,氧化峰电位为0.81 V,线性范围和检测限分别是6.7×10~(-6)~6.7×10~(-4) moVL和3.3×10~(-6) mol/L(S/N=3).结论 该修饰电极可用于痕量硫氰根的直接测定.

作者:何婧;刘扬;潘云凤;王小平;顾海鹰

来源:中国公共卫生 2009 年 25卷 11期

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作者:
何婧;刘扬;潘云凤;王小平;顾海鹰
来源:
中国公共卫生 2009 年 25卷 11期
标签:
硫氰根(SCN~-) 电化学预处理玻碳电极(PGCE) 循环伏安法(CV) 示差脉冲伏安法(DPV) thiocyanate (SCN~-) electrochemically pretreated glassy carbon electrode (PCCE) cyclic voltammetry (CV) differential pulse voltammetry(DPV)
目的 研究硫氰根的电化学行为并对其进行痕量测定.方法 将玻璃碳电极进行电化学预处理,研究硫氰根在该电极上的电化学行为并进行痕量测定.结果 硫氰根在预处理玻碳电极上的氧化反应为不可逆的吸附过程,氧化峰电位为0.81 V,线性范围和检测限分别是6.7×10~(-6)~6.7×10~(-4) moVL和3.3×10~(-6) mol/L(S/N=3).结论 该修饰电极可用于痕量硫氰根的直接测定.