目的 研究缺氧缺血性脑损伤(HIBD)时血管内皮生长因子(VEGF)的表达及其与脑细胞凋亡的关系.方法 利用新生7日龄Wistar大鼠制备HIBD模型.应用HE染色、电镜、原位缺口末端标记(TUNEL)法及免疫组织化学法研究HIBD时脑细胞凋亡情况、VEGF蛋白的表达及两者的关系.结果 HE染色、TUNEL染色及透射电镜结果均证实,新生大鼠HIBD时凋亡是神经细胞主要的死亡形式.与坏死共存,且凋亡的发生先于坏死.免疫组化检测结果发现,VEGF蛋白在正常大鼠脑的各个部位都有表达,缺氧缺血(H1)大鼠VEGF表达明显增强,HI后即刻VEGF表达增强,1d时迭高峰,3d后逐渐减弱;HI后病变严重的皮质、纹状体中心VEGF表达减弱,在病变较轻部位表达较强,海马也存在不均匀分布的VEGF阳性细胞,尤其CAECA3区域可见较多的阳性细胞散在分布.表明HIBD时脑组织中VEGF的表达除与HI后的时间有关外,还与病变严重程度有关.结论 迟发性的细胞凋亡是HIBD加重及病损区扩展的重要因素.VEGF可能参与了HIBD的发病过程,VEGF出现在凋亡细胞较多的部位,表明其可能与脑细胞凋亡密切相关.
作者：孙桂莲；杨志亮
来源：中国医科大学学报 2011 年 40卷 6期
