目的利用功能磁共振成像技术(fMRI)观察小脑各亚区在不同强度电刺激时的激活反应,探讨小脑对于痛觉调控的作用.方法对10名右利手健康志愿者分别施加1倍痛阈、3倍痛阈两个不同强度的电刺激任务,同期进行全脑fMRI扫描,应用功能性神经图像分析(AFNI)软件包进行后处理以显示小脑激活的变化.结果非伤害性电刺激(1倍痛阈强度)主要激活对侧小脑半球小叶Ⅵ、Ⅶ区和同侧小脑半球Ⅶ、Ⅷ区,以同侧半球的BOLD信号较强;伤害性电刺激(3倍痛阈强度)诱发的激活区主要位于同侧小脑半球小叶Ⅲ～Ⅵ区,对侧小脑半球Ⅵ区,前蚓部,蚓旁区和深部小脑核团的一部分(顶核和齿状核),其中仍以同侧激活区范围较大,信号亦明显强于对侧.结论高强度痛觉电刺激额外激活同侧小脑半球小叶Ⅲ～Ⅵ区,前蚓部,蚓旁区和深部小脑核团,这些脑区应该属于小脑伤害感受性环路的一部分,它们可能在全身痛觉调控网络中更为重要.
作者：张明；王渊；刘海；章士正；鱼博浪；陈燕；王微微
来源：中国医学影像技术 2006 年 22卷 1期
