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目的探讨线粒体损伤在活性氧诱导晶体上皮细胞凋亡中的作用.方法以过氧化氢为处理因素,MTT方法测定过氧化氢对晶体上皮细胞的半数致死浓度(IC50),使用确定的IC50处理培养的人晶体上皮细胞,琼脂糖凝胶电泳检测DNA片段化降解,流式细胞术检测细胞线粒体跨膜电位(△ψm)变化、透射电镜观察细胞线粒体形态,定量免疫印迹检测胞质溶胶中细胞色素c含量的变化及caspase-3的活化.结果过氧化氢对晶体上皮细胞的IC50是32.24μmol/L.32.24μmol/L的过氧化氢处理12h可以检测到晶体上皮细胞染色体DNA发生片段化降解;6h可以检测到线粒体跨膜电位去极化,且随时间延长逐渐加强;18h透射电镜观察可见明显的线粒体膜损伤.定量免疫印迹分析显示细胞色素c在胞质溶胶中的表达逐渐提高及caspase-3活化加强.结论活性氧可能是通过诱导线粒体结构和功能损伤导致晶体上皮细胞凋亡.

作者:刘戈飞;李立梅

来源:中国组织化学与细胞化学杂志 2006 年 15卷 3期

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作者:
刘戈飞;李立梅
来源:
中国组织化学与细胞化学杂志 2006 年 15卷 3期
标签:
线粒体 晶体上皮细胞 凋亡 活性氧
目的探讨线粒体损伤在活性氧诱导晶体上皮细胞凋亡中的作用.方法以过氧化氢为处理因素,MTT方法测定过氧化氢对晶体上皮细胞的半数致死浓度(IC50),使用确定的IC50处理培养的人晶体上皮细胞,琼脂糖凝胶电泳检测DNA片段化降解,流式细胞术检测细胞线粒体跨膜电位(△ψm)变化、透射电镜观察细胞线粒体形态,定量免疫印迹检测胞质溶胶中细胞色素c含量的变化及caspase-3的活化.结果过氧化氢对晶体上皮细胞的IC50是32.24μmol/L.32.24μmol/L的过氧化氢处理12h可以检测到晶体上皮细胞染色体DNA发生片段化降解;6h可以检测到线粒体跨膜电位去极化,且随时间延长逐渐加强;18h透射电镜观察可见明显的线粒体膜损伤.定量免疫印迹分析显示细胞色素c在胞质溶胶中的表达逐渐提高及caspase-3活化加强.结论活性氧可能是通过诱导线粒体结构和功能损伤导致晶体上皮细胞凋亡.