目的 探讨多囊卵巢综合征(Polycystic ovarian syndrome,PCOS)患者子宫内膜"植入窗" 期凋亡相关基因的差异性,并对部分基因进行了定位研究.方法 将PCOS患者和对照组各6例共分为3组,分别取"植入窗"期的子宫内膜组织,应用基因芯片技术,检测其差异表达基因,对芯片数据进行处理和生物信息学分析,得到了差异表达的凋亡基因,并对下调的Fas相关死亡结构域蛋白(Fas-associated death domain protein,FADD)基因运用反转录-PCR及免疫组织化学方法对进行了表达及定位研究.结果 PCOS 3组中均明显差异表达的基因有194条,有9条为凋亡相关基因,其中5个上调,4个下调;免疫组织化学研究发现,FADD免疫阳性物质位于PCOS患者"植入窗"期子宫内膜腺上皮细胞的细胞浆内.结论 PCOS患者"植入窗" 期子宫内膜部分凋亡基因表达紊乱,是影响其植入率的原因之一.
作者：陈蕾；王蔼明；李敏；孙影；王伟周
来源：中国病案 2011 年 12卷 8期
