目的:探讨乙酰葛根素在脑缺血再灌注损伤后对一氧化氮(NO)和内皮素(ET)生成的影响.方法:采用大脑中动脉内栓线阻断法造成大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤(假手术组除外)后,随机将实验大鼠分为6组,连续灌胃给药10 d:损伤组[生理盐水5 ml/(kg·d)];对照组[葛根素50 mg/(kg·d)];乙酰葛根素高、中、低剂量组[乙酰葛根素250、50、10 mg/(kg·d)];假手术组[生理盐水5 ml/(kg·d)].采用生化法测定脑缺血1 h再灌注24 h及48 h大鼠脑组织匀浆和血清中NO水平,用放射免疫法测定血浆中ET水平,并进行脑组织病理学检查.结果:损伤组大鼠脑缺血1 h再灌注24 h及48 h,脑组织匀浆和血清NO、血浆ET水平均明显高于假手术组(P＜0.01);与损伤组相比,高、中、低剂量乙酰葛根素组血浆ET及脑组织匀浆NO水平显著降低(P＜0.05),血清NO再灌注24 h也明显降低(P＜0.01);高、中剂量乙酰葛根素组再灌注48 h血清NO显著降低(P＜0.01).结论:乙酰葛根素可减少脑缺血再灌注损伤后期不同时间段NO和ET的生成,提示,乙酰葛根素对局灶性脑缺血灌注损伤具有一定的保护作用.
作者：李雪梅；魏欣冰；张岫美；侯丽；仲英；左春旭
来源：山东大学学报（医学版） 2005 年 43卷 12期
