目的:探讨高压电场对A549细胞中ABCG2和V-ATPase表达量的影响;探讨高压电场对A549细胞耐药性的影响.方法:MTT法测细胞生长曲线,明确能导致细胞可逆性电穿孔的最高电场强度.慢病毒构建ABCG2和V-ATPase低表达的A549细胞系,并用电场处理,用q-RT-PCR和Western-blot法检测处理前后ABCG2和V-ATPase的mRNA和蛋白表达量的变化.最适强度的高压电场处理各组细胞,在处理前后的细胞中分别加入阿霉素,用高效液相色谱法检测各组细胞中阿霉素浓度.结果:当电场强度为1500 V/cm时,肿瘤细胞增殖最慢;电场强度为1500 V/cm时,肿瘤细胞中ABCG2和V-ATPase的mRNA和蛋白的表达量分别降至对照组的58％和61％,具有统计学差异;1500 V/cm强度的电场可以提高肿瘤细胞内阿霉素的浓度3-4倍.结论:高压电场可以显著降低肿瘤细胞中V-ATPase和ABCG2的mRNA和蛋白的表达量并降低肿瘤细胞的耐药性.
作者：宋涛；王居正；陈召；狄守印；王武平；张继朋；卢强
来源：现代生物医学进展 2017 年 17卷 16期
