目的：探讨电针神庭、百会对局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠学习记忆功能的影响及其机制。方法雄性Sprague-Daw-ley大鼠45只，随机分为假手术组(n=15)、模型组(n=15)和电针组(n=15)。模型组、电针组用线栓法制备局灶性脑缺血2 h再灌注损伤模型。电针组行电针干预7 d。各组在造模后3 d开始行Morris水迷宫测试。7 d后尼氏染色观察海马神经细胞变化，逆转录PCR检测Bcl-2、Bax mRNA表达。结果电针组逃避潜伏期显著低于模型组(P<0.001)，穿过平台次数显著低于模型组(P=0.001)。电针组海马区细胞损伤及Bax mRNA水平降低、Bcl-2 mRNA水平提高(P<0.05)。结论电针能改善局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠学习记忆能力，保护神经细胞，其机制可能与调节凋亡相关基因Bax、Bcl-2的表达有关。
作者：林浴坤；陶静；陈斌；林如辉
来源：中国康复理论与实践 2014 年 9期
