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遗传性全面性癫痫(genetic generalized epilepsies,GGEs)是一类主要由遗传因素决定的癫痫综合征,少数遵循孟德尔遗传规律,大部分则表现为多基因遗传.研究者最初发现与GGEs相关的基因大多涉及离子通道,包括电压门控的钠离子、钾离子、钙离子、氯离子通道以及配体门控的 γ-氨基丁酸受体通道,进一步研究发现一些非离子通道基因也与GGEs有关,并且新生突变和拷贝数变异也在GGEs发病中具有重要的作用.近年来,二代测序和三代测序的运用推动了GGEs分子遗传学的探索进程,但也带来了更多的挑战.这些遗传学上的发现对阐明GGEs发病机制、临床诊断以及探索精准治疗提供了重要基础.本文就GGEs的分子遗传学研究进展进行综述.

作者:张凯琳;江泓;李楠

来源:中华医学遗传学杂志 2018 年 35卷 6期

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作者:
张凯琳;江泓;李楠
来源:
中华医学遗传学杂志 2018 年 35卷 6期
标签:
遗传性全面性癫痫 离子通道 新生突变 拷贝数变异 二代测序 三代测序 Genetic generalized epilepsies Ion channel De novo mutation Copy number variant Next generation sequencing Third generation sequencing
遗传性全面性癫痫(genetic generalized epilepsies,GGEs)是一类主要由遗传因素决定的癫痫综合征,少数遵循孟德尔遗传规律,大部分则表现为多基因遗传.研究者最初发现与GGEs相关的基因大多涉及离子通道,包括电压门控的钠离子、钾离子、钙离子、氯离子通道以及配体门控的 γ-氨基丁酸受体通道,进一步研究发现一些非离子通道基因也与GGEs有关,并且新生突变和拷贝数变异也在GGEs发病中具有重要的作用.近年来,二代测序和三代测序的运用推动了GGEs分子遗传学的探索进程,但也带来了更多的挑战.这些遗传学上的发现对阐明GGEs发病机制、临床诊断以及探索精准治疗提供了重要基础.本文就GGEs的分子遗传学研究进展进行综述.