目的:通过染色体G显带技术研究辐射后染色体的结构畸变情况.方法:4MV的X线辐射离体入血,淋巴细胞培养后,应用染色体G显带技术,分析辐射后染色体的结构畸变情况,包括双着丝粒、缺失、易位、环状染色体、染色体片段,等.结果:辐射后观察分散良好、形态清晰的细胞核型100个,染色体畸变总数为428,其中双着丝粒、缺失、易位、环状染色体、染色体片段的发生数分别为 86、41、111、9、181.分析各号染色体辐射后畸变情况,未见明显差异.结论:染色体G带分析可以提供较丰富的染色体结构畸变信息.
作者：赵明刚；施常备；赵华；袁勇；姚俊涛；陆建荣；袁彬；陈葳；王翔
来源：现代肿瘤医学 2011 年 19卷 7期
