目的 探讨电针对脑缺血再灌注大鼠学习记忆障碍的改善作用及其机制.方法 简单随机抽样将90只用于跳台实验的SD大鼠随机分为正常对照组、单纯脑缺血再灌注7d、14d、30 d、60 d组(I/R)和脑缺血再灌注7d、14 d、30 d、60 d+电针干预组(I/R+EA),n=10;70只用于分子生物学实验的SD大鼠随机分为正常对照组、单纯脑缺血再灌注3h、6h、12 h组(I/R)和脑缺血再灌注3h、6h、12 h+电针干预组(VR+EA),n=10.采用线栓法制备大鼠脑缺血再灌注模型(MCAO),取大鼠“百会”和“水沟”穴进行电针,终刺激强度为5 mA,持续时间为30 min.做跳台实验观察大鼠学习记忆的修复状况;Western blot检测大鼠脑组织procaspase-3、procaspase-12、PARP和iCAD蛋白的表达;免疫荧光组织化学方法检测GRP94阳性表达的细胞个数.结果 跳台结果显示电针干预后大鼠学习记忆力得到明显改善,电针7d和14 d组大鼠触电潜伏期分别为[(90.60± 17.01)s、(128.80±8.85)s],与脑缺血再灌注7d和14 d组[(51.20±5.09)s、(105.00±10.39)s]相比明显升高,电针7d和14 d组大鼠单脚跳下错误次数分别为[(3.90±0.99)次、(2.70±0.67)次],与脑缺血再灌注7d和14d组[(9.20±1.61)次、(6.10±0.99)次]相比明显降低,差异有统计学意义(P＜0.01);Western blot结果显示电针干预后

作者：王海英；林娜；亚白柳；刘文彦

来源：中华行为医学与脑科学杂志 2018 年 27卷 8期