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目的 分析植入型心律转复除颤器(ICD)不恰当放电发生情况及常见原因.方法 2001年11月至2007年10月植入ICD并长期随访的43例患者.通过定期随访查询ICD中存储的事件信息,根据腔内电图判断事件是否为不恰当放电.结果 43例患者中有7例发生了96次不恰当放电.6 例患者是室上性心动过速引起,1 例是干扰引起.5 例患者第1次不恰当放电发生在植入ICD后1年内.植入ICD前有心房颤动(房颤)病史是发生不恰当放电的独立预测因子.结论 植入ICD前有房颤病史的患者较易出现不恰当放电,临床应多予以重视.

作者:程凌;聂如琼;王景峰;袁沃亮;周淑娴;方昶

来源:中华内科杂志 2009 年 48卷 1期

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作者:
程凌;聂如琼;王景峰;袁沃亮;周淑娴;方昶
来源:
中华内科杂志 2009 年 48卷 1期
标签:
除颤器,植入型 猝死,心脏 电抗休克 Defibrillator,impantable Death,sudden,cardiac Electric countershock
目的 分析植入型心律转复除颤器(ICD)不恰当放电发生情况及常见原因.方法 2001年11月至2007年10月植入ICD并长期随访的43例患者.通过定期随访查询ICD中存储的事件信息,根据腔内电图判断事件是否为不恰当放电.结果 43例患者中有7例发生了96次不恰当放电.6 例患者是室上性心动过速引起,1 例是干扰引起.5 例患者第1次不恰当放电发生在植入ICD后1年内.植入ICD前有心房颤动(房颤)病史是发生不恰当放电的独立预测因子.结论 植入ICD前有房颤病史的患者较易出现不恰当放电,临床应多予以重视.