目的 探讨基于框架的立体定向脑电图(SEEG)定位致痫灶的安全性及可靠性.方法 回顾性纳入北京丰台医院癫痫中心—首都医科大学附属北京天坛医院医疗联盟2015年6月至2016年6月收治的采用SEEG评估的药物难治性癫痫患者,共60例.分析影响SEEG电极植入靶点偏差的相关指标、电极植入相关的并发症.电极植入术后行长程视频脑电图监测,根据评估结果行手术切除致痫灶,观察手术预后.结果 60例患者共植入颅内电极474根,每例患者平均植入电极(8.0±2.5)根;电极植入的入针点偏差为0.0 ～ 8.3 mm,中位数为1.1 mm;靶点偏差0～ 12 mm,中位数为1.4 mm;电极与颅骨切面夹角为44.0 ～ 90.0.,中位数为67.5.;电极在脑内的长度为15～97 mm,中位数为43 mm.相关性分析显示,靶点偏差与入针点偏差(r=0.426,P＜0.01)、电极植入长度(r=0.145,P＜0.01)均呈正相关;与电极与颅骨切面夹角呈负相关(r=-0.247,P＜0.01).共6例(10％)发生电极植入术相关的并发症,其中脑内少量血肿3例(5％),脑脓肿1例(2％),电极弯折2例(3％).53例患者行致痫灶切除手术,术后随访1～2年,平均(1.5±0.5)年,其中Engel Ⅰ级者占72％ (38/53),EngelⅡ～Ⅳ级者占28％(15/53).Engel Ⅰ级者中,MRI阳性者占74％(20/27),阴性者占69％ (18/26).结论 基于框架的SEEG颅内电极植入

作者：解飞；胡文瀚；桑林；马延山；张弨；张凯；邵晓秋；张建国

来源：中华神经外科杂志 2018 年 34卷 9期